中國光刻機取得突破,老美的晶片禁令被踐踏,ASML:再不給就沒戲在那一時期對於中國的晶片事業發展而言困難非常的大,在所有的國家以及所有人都覺得中國晶片事業會就此畫上句號的時候突破出現了,中國的國產公司一直在這方面做推進,美國的打壓不僅沒有讓中國晶片就此隕落,反而越來越強...
李在鎔親自出馬,訊息稱三星搶到 ASML“額外”EUV 光刻機,今年至少可獲得 18 臺【李在鎔親自出馬,訊息稱三星搶到 ASML“額外”EUV 光刻機,今年至少可獲得 18 臺】據集微網,6 月 17 日,據臺媒《經濟日報》報道,三星電子副會長李在鎔在荷蘭訪問 ASML 之後,已經確保取得“額外”的極紫外光(EUV)光刻機設...
華為突然公佈EUV光刻機專利, 中國的光刻機再獲突破, ASML懵了國產的光刻機已形成了一條完整的產業鏈條,成為全球唯一擁有光刻機全產業鏈的經濟體,雙工作臺、光學系統、物鏡系統、光源系統方面都已有相關企業研發成功,如今華為在光線折射技術方面的突破,無疑將補上最後的短板,如此國產EUV光刻機成為現實的日子進一...
ASML扛不住了,計劃大舉向中國出售光刻機以求生存據悉ASML已悄悄轉變態度,近期表示將DUV光刻機產能增加至600臺,EUV光刻機增加至90臺,在全球晶片行業衰退減少採購光刻機的時候,它如此做瞄準的無疑是當下僅剩的還有意擴張晶片產能的中國市場...
美媒: 我們太愚蠢了! 中國首條光子晶片產線正式開工不同於採用矽片為基礎材料的傳統電子晶片,光子晶片主要是以Inp、GaAS等二代化合物半導體為基礎材料,不僅能避開摩爾定律帶來的物理極限,而且其製造門檻也更低,無需使用EUV光刻機...
華為高階芯有戲了, 國芯7nm再獲重大突破, EUV光刻膠全來了點選載入圖片三、華為高階芯有戲了,已與國產半導體形成命運共同體只要EUV光學鏡頭突破到50皮米,那麼國產EUV光刻裝置將成功實現,加上南大光電Arf光刻膠已經突破到7nm高階水準,國芯將成功實現7nm及以下的高階晶片水準,從而徹底打破西方A...
解讀國產光刻機困局(一):極紫外EUV光源研發進度我們在Gigaphoton公開資料裡看到,其中重點分析了EUV光源的四大攻關難點(圖3):1,磁控去汙染技術(約2010年獲得穩定解決方案)2,錫液體發生技術(約2006年獲得初步解決方案)3,鐳射預脈衝技術(約2012年獲得初步解決方案)...
終於等到了! EUV光刻機或將自由出貨, ASML官宣帶來新訊息點選載入圖片再加上目前其實對於阿斯麥來講,對於國內市場的渴求還是比較大的,不然阿斯麥也不會多次警告美國,希望能夠放開對阿斯麥的限制,當然對於國內廠商而言,獲取EUV光刻機當然也是一個好訊息,目前我們已經完成了7奈米晶片的研發任務,而5奈米等...
華為將用上國產高階芯, 中科院突破EUV最後難關, ASML預言成真點選載入圖片四、華為將用上國產高階芯,ASML預言成真根據業內人士的分析預測,也就是說,在國產EUV光刻裝置正式量產之後,只要其他相關準備工作同步進行,7nm及以下的國產高階晶片,最快有望在2025年左右實現...
關於國產光刻機,中國院士的話雖難聽,但都是大實話本文原創,請勿抄襲和搬運,違者必究中國院士對國產光刻機的看法光刻機被號稱是工業上的皇冠,歷史上很多企業都曾參與光刻機的研發,可即便最終制造生產出光刻機,其水準也是處在低端水準...
造不出EUV光刻機? 中科院宣佈好訊息, ASML的舉動毫無意義點選載入圖片事實也的確如此,我國為了實現晶片國產化,在決定自主研發EUV光刻裝置之時,ASML首席官Peter就公開潑來冷水,表示:即便給中國圖紙,他們也無法造出價值1...
中科院再立功,這次是高階光刻機,ASML的擔憂或成現實目前國產晶片產業在中低端領域已站穩了腳跟,正在向高階領域發起衝擊,而且清華大學等高校的科研團隊在EUV領域也已取得了不小的研發成果,隨著時間的推進,ASML的擔憂或將成為現實...