在我們晶片國產化的道路上，EUV

光刻機

堪稱是最大的“絆腳石”，全球能製造該裝置的只有荷蘭光刻巨頭ASML。但是它的產線上卻含有20%以上的美系技術零件，受到老美出口管制規則的約束，而且ASML大多數研發中心都在美國，這意味著ASML很難站在我們這邊。

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事實也的確如此，我國為了實現晶片國產化，在決定自主研發EUV光刻裝置之時，ASML首席官Peter就公開潑來冷水，表示：即便給中國圖紙，他們也無法造出價值1。2美元的EUV光刻機。

ASML這種近乎“嘲諷”的言論，無非是想澆滅我們自主研發的動力與決心。

造不出EUV光刻機？

不過，經歷過“卡脖子”之痛的國內晶片市場，又怎麼可能會因為外界的不看好而退縮呢？在關鍵時刻，中科院、清北等國內科研機構挺身而出，主動接下EUV的研發重任，併成立了專項攻關技術小組。

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光刻機的工作原理是利用光源技術在晶圓上完成相應積體電路圖的刻畫，也就是說，光源是最核心、難度最高的技術。

令人振奮的是，在光源領域，唐傳祥教授帶領的清華科研團隊探索出了一種新型粒子加速器“穩態微聚束”，基於SSMB原理，“穩態微聚束”能產生高功率、高重頻的相干光，波長可從太赫茲覆蓋到極紫外光波段。

而極紫外光正是EUV最所用到的光源。這意味著，EUV光刻裝置的國產化，已經成功了一半，而且清華科研團隊自主可控的這項光源成果，其應用範圍要比EUV極紫外光更加廣泛。

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中科院宣佈好訊息

很顯然，清華大學在一定程度上已經打破了EUV的難產論。而近日，中科院也傳來了好訊息，關於EUV的研發，國內又有了新的突破。

據公開資料顯示，中科院旗下的上海“光交所”，提出了光源臨近修復技術的解決方案，簡稱OPC。實驗證明，該技術可以在光刻裝置硬體不變的情況下，最佳化光源系統與晶圓良品率，從而提升光刻解析度，製造出精度更高、效能更好的晶圓。

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在傳統矽基晶片工藝即將觸及物理極限之時，國內OPC技術的誕生，或將實現摩爾定律的延續。

對正在破冰EUV裝置的國內市場來說，OPC技術將為後續的研發提供有力的技術支援，更能提升我們一鼓作氣翻過EUV這座大山的信心。

ASML的舉動毫無意義

關於我國光刻研發的進展，ASML態度的轉變或許是最有說服力的。

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最初認為我們難以造出EUV光刻機的ASML高管，在一次線上活動中明確表態：晶片斷供只會適得其反，五年時間，中國將打破半導體領域的所有壟斷，包括EUV光刻機。

另外，ASML從去年末至今，在國內市場的佈局更說明問題。

先是與中芯國際達成了一份價值12億美元的光刻出口協議，在第一季度又接連出口給我國市場11臺多種型別的光刻機。

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很顯然，我們在光刻領域的崛起，讓ASML感受到了危機。

一方面是因為它不想被排除在中國市場之外；另一方面是，我國一旦在光刻領域實現了國產化，那麼必然會拉低光刻機高昂的價格，甚至會衝擊到ASML在該領域的地位。

不過，ASML示好出口的這些舉動將毫無意義。因為經歷過“卡脖子”的慘痛教訓，我們不會再因為外界態度的轉變而放慢自研的腳步，EUV的國產化勢在必行。何況ASML說得好聽，可迄今而至，連一臺EUV都沒有賣給我們。

總結

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我國半導體產業的快速崛起來之不易，是華為等中企用“卡脖子”之痛喚醒了我們自主研發的決心，讓我們徹底放棄對海外的幻想。不管是ASML也好、臺積電也罷，根本指望不上他們能雪中送炭。

老美三年四次制裁更讓我們看清了一個事實，所謂的貿易公平是建立在自身強大的基礎之上。只有做到手中有糧，才能遇事不慌。

慶幸的是，國內科學家們沒有讓國人失望，隨著EUV的進一步推進，國產半導體的護城河就將搭建完畢，屆時，我們將完全洗刷近幾年被技術封鎖的恥辱！