目前全球僅4家廠商,能夠製造光刻機,分別是荷蘭的ASML,日本的尼康、佳能,和上海的微電子。
從技術水平來看,ASML>尼康>佳能>上海微電子。如下圖所示,ASML的光刻機能夠達到3nm的精度了,而尼康的主要在28nm及以上,而佳能、上海微電子的在90nm以上。
再給大家一個數字,這是某機構統計的,2021年全球半導體前道光刻機的銷售情況,從這張表可以看出來,小米7nm的EUV光刻機,ASML全部包攬。
在45-7nm的光刻機上,僅有尼康、ASML能夠推出,尼康也就是打醬油,僅賣出4臺,另外的81臺全是ASML的。
直到180nm級別的KrF光刻機上,佳能才參與進來,而中國廠商在前道光刻機的出貨量基本為0(也可能是沒有統計到),但不否認,其份額是可以忽略的。
目前矽基晶片被認為發展到極限了,而矽基晶片需要EUV光刻機,中國基本上在EUV光刻機,不太可能追得上了,所以很多人表示,在當前的光刻機技術上,既然我們這麼落後,那麼就應該換道超車了,在新的技術上,趕上來唄。
但是,要我說實話,從目前已知的光刻機新技術來看,中國還是相對落後的。
目前已知的光刻機新技術,有三種,並且這三種技術也被大量的廠商在研究。
第一種是
NIL技術,也就是奈米壓印,將晶片的電路板,像印表機一樣,列印到矽片上,能夠比EUV光刻機精度更高,功耗更低,成本更低。
目前在這一種技術上,佳能表現最突出,申請的專利也最多,並且與鎧俠合作,已經有成熟的產品了,我們沒有廠商表現很突出。
第二種技術是
電子束光刻機(EBL),用高能電子束來替代極紫外線,電子對應的波長只有0。04奈米,加工精度就比EUV又高了不少。
這種技術,目前是美國表現最為突出,美國廠商
Zyvex還搞了一臺成熟的產品,並且製造出了0。768nm的晶片,不過目前這種光刻機效率低,無法大規模使用,但至少走在世界前列。
三大光刻機技術專利情況
第三種技術稱之為“
自組裝(DSA)光刻技術”,利用新的化學材料,讓電路圖直接在矽片上生成,不需要光刻。
目前在這一塊表現突出的,是歐洲、美國的研發機構,像比利時微電子中心、麻省理工學院,都建立了自組裝產線進行研究,專利也申請的最多。
實話實說,目前中國的廠商,在這三種被大家認為大有未來的光刻機技術、專利上表現都不太突出,所以說是落後了也並不過份。
當然,任何技術沒有成為真正的生產力之前,都有可能是無用功,這三大技術也不例外,現在被看好,未來也可能一事無成。
但能夠在這些前沿技術上發力,表現突出,也是實力的一種表現,所以中國廠商真的要加油,不管押注什麼技術,都得趕緊研發了,否則落後又要捱打啊。
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