一、導讀

如今我們可以看到，國產手機品牌小米OV紛紛實現了大幅突破，再次拉近了和蘋果三星的距離，小米甚至在第二季度超越蘋果，首次斬獲全球第二，而vivo的表現也不差，在今年第二季度的國內市場升至第二，與小米OV蒸蒸日上的手機業務相比，

華為

的表現讓人惋惜，在西方新規的五次打壓之下，華為海思無人代工，也不能透過第三方渠道購買聯發科、高通的

晶片

，因此缺芯越來越嚴重，華為手機業務的份額僅剩下4%，還不及小米OV的零頭。

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二、國芯7nm再獲重大突破，EUV

光刻膠

全來了

前不久，華為正式釋出了P50系列，不過餘承東卻非常遺憾地宣佈了一個新決定，那就是華為P50系列將沒有5G版本，要知道華為5G技術全球領先，如今卻因為西方打壓，不得不放棄5G方案，因此大力發展國產晶片產業，從晶片原材料、晶片設計、晶片製造，再到晶片封測等全部環節，均突破到7nm以下的高階水準，才能徹底避開西方新規的限制，從而解決華為缺芯的困局。目前來看，國芯的進步非常明顯，比如在晶片製造領域，中 芯透過N+2工藝，實現了7nm水準，在晶片封測領域，基本上實現了自給自足。

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不過在晶片製造裝置領域，光刻裝置依然停留在90nm，即便將在不久之後突破到28nm，但與西方ASML的差距依然很大，尤其是EUV光刻裝置領域，國芯還處於攻堅階段，近日，國芯7nm再獲重大突破，EUV光刻膠都來了。南大光電釋出公告，旗下的ArF光刻膠專案正式透過專家的驗收，該光刻膠可以用於90-7nm的晶片製造工藝，這也意味著國芯在7nm高階晶片原材料領域，終於實現了自給自足，不再受到日本Arf光刻膠斷貨的限制；

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另外在EUV光刻裝置領域，國產雙工件臺以及EUV光源均已經成功掌握，不過還差最後一塊拼圖，那就是EUV光學鏡頭，前段時間，EUV光學鏡頭就傳來好訊息，國內首臺高能光源裝置成功步入安裝階段，而且國產直線式勞埃透鏡鍍膜裝置、奈米聚焦鏡鍍膜裝置均已經投入使用，因此隨著這三臺裝置投入使用，國產EUV光刻鏡頭的鏡面光潔度將突破到100皮米，與ASML只有一步之遙，因此未來突破到50皮米只是時間問題。

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三、華為高階芯有戲了，已與國產半導體形成命運共同體

只要EUV光學鏡頭突破到50皮米，那麼國產EUV光刻裝置將成功實現，加上南大光電Arf光刻膠已經突破到7nm高階水準，國芯將成功實現7nm及以下的高階晶片水準，從而徹底打破西方ASML在EUV光刻裝置領域的壟斷，西方新規也將成為一張廢紙，對於華為來說，高階晶片也將有戲了，因為華為已經透過旗下的哈勃子公司，成功布局了自己的晶片全產業鏈。

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哈勃從2019年成立以來，截止到目前，已經投資入股了43家國產半導體企業，也就是說華為透過投資入股的方式將自己和國芯產業綁在了一起，從而形成了國芯命運共同體，而且華為已經出手，在武漢組建了晶片製造工廠，前期主要製造光晶片，但是隻要國芯成功突破到7nm水準，那麼華為將迅速建立起高階芯生產線，因此具有真正國產化的高階晶片也將很快實現量產。

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四、國芯將突破到高階水準，李東生、ASML沒有說謊

當然對於這款國產高階晶片，到底還需要多長時間呢？國產品牌TCL的創始人李東生就給出了自己的預測，他認為國產晶片突破到7nm及以下的高階水準，只需要三到五年而已，目前看來，李東生的預測還是非常準確，EUV光刻裝置就差最後一塊拼圖EUV光學鏡頭了，三年時間完全可以攻克，其他準備工作只要跟上來，那麼國芯突破到7nm五年時間完全夠用了。另外ASML的CEO也給出了自己的預測，如果西方禁止出貨，那麼三年內我們就可以實現國產替代，目前從國芯的進度來看，李東生、ASML都沒有說謊，因為國芯高階化真的快了。

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五、結語

目前華為P50已經可以用上高通4G芯，這也意味著華為缺芯的問題得到了暫時緩解，即便沒有5G功能，但也足夠滿足我們的使用了，況且還可以透過華為WIFI6技術，大部分場景的網速體驗不比5G差，因此只要華為挺過這幾年，未來國芯將給華為帶來足夠的支援，徹底打破西方新規限制，我們也相信將很快到來。

好了，華為高階芯有戲了，國芯7nm再獲重大突破，EUV光刻膠全來了，你怎麼看呢？