眾所周知，光刻機是當前晶圓廠商們製造晶片不可缺少的產品，而EUV光刻機，則用於7nm及以下的晶片製造，更是核心中的核心。

不過EUV光刻機，只有一家廠商能夠製造，那就是荷蘭的ASML。所以EUV光刻機，是被監管的，比如中國大陸、俄羅斯等國家，有錢也是買不到的，美國不準賣，美國不允許中國大陸、俄羅斯等國家，能自己製造出7nm及以下的晶片，搶自己的飯碗。

所以在當前情況下，不管是中國，還是俄羅斯等國家，要想生產7nm及以下的晶片，EUV光刻機是必須自己研發並生產了來。

當然，如果有其它技術方案，不用EUV光刻機，也能夠製造出7nm及以下的晶片，那當然更好，但顯然目前還沒有。

之前俄羅斯計劃，採用X射線，進行無掩膜式光刻，來繞開EUV光刻機，實現7nm及以下晶片的製造。

這個技術採用的是波長介於0。01nm至10nm之間的X射線，然後直接在晶圓上進行光刻，由於X射線比13。5nm的極紫外線波長更小，從而精度更高，理論上可以搞定7nm，甚至5n、3nm、2nm晶片光刻，但目前並沒有實現。

而近日，俄羅斯又提出了另外一種技術方案，來搞定7nm晶片的光刻，並計劃在2028年實現。

這項技術採用的是微影光刻技術，計劃使用大於600W的光源、曝光波長為11。3nm（EUV波長為13。5nm）的光線來進行光刻，

俄羅斯計劃是2024年推出首次產品，然後2026年可以量產晶片，到2028年推出終極版，然後可以用於大規模晶片製造。

按照業內人士的說法，如果俄羅斯的這種產品研發成功，是可以取代EUV光刻機的，不過缺點是產能會低於EUV光刻機，畢竟功率會小一些，但也因為功率小，所以工具成本會更低一點。

那麼就看2024年俄羅斯能不能率先推出這種裝置了，如果能，那麼2028年有望成功，如果2024年推不出來，那麼更遠一點的目標肯定也完不成。

說真的，我們還是蠻希望俄羅斯成功的，雖然感覺上也不太靠譜，畢竟一旦俄羅斯成功了，我們應該可以共享這項技術。