調查了一下國產EUV光刻機進展的資料，簡單介紹一下公開資料報道的情況，浸入式光刻的解析度和EUV光源強度有關，250W是一個應用節點，可以達到18nm解析度（圖1，參考資料1）。ASML也是在當時這個時間達到這個水平（圖2，參考資料2）。

國內公開報道的最多的一項進展是2017年長春光機所驗收國家重大科技專項（圖3，參考資料3）。負責該專案的金春水教授的個人主頁上列出了專案期間的專利和論文列表（參考資料4）。資料已經更新，所以暫時看不到其後的進展。

另一則關於上海微電子28nm光刻機的訊息，我在上海微電子所官網沒有看到任何相關資訊（參考資料5）。調查了一下哈爾濱大學的EUV光源研究，在一篇發表的碩士論文裡看到了這句話：已經達到世界先進水平。但是從研究結果看（圖4—圖7），文章完成的是實驗室的初級原型測試（圖6）。論文關於技術先進性的描述（圖7）比較含糊，並沒有給出已經實現的功率資料。

補充，網友提到上海光機所的LPP—EUV突破，經核實，上海光機所的確近期發表了一系列專利技術。我看了上海光機所的專利，目前公開資料已經引起很多誤解，不多討論。有一條官方公開資訊可稍作參考，LPP—EUV關鍵技術攻關相關裝置採購公示，期待能儘快聽到好訊息。