碳化矽是典型的第三代半導體材料，應用廣泛，近年來發展迅速。中國電科產業基礎研究院（13所）自2004年開始對碳化矽材料、器件進行工藝研究，與國際先進水平同步。經過多年的建設和發展，2017年，4英寸碳化矽電力電子工藝線正式實現批產供貨；為進一步擴充產能、對標國際先進，2019年，產業基礎研究院（13所）採用改擴建方式完成了碳化矽電力電子6英寸工藝線。

截至目前，6英寸碳化矽電力電子工藝線已穩定生產供貨。期間透過不斷最佳化產品效能指標，產業基礎研究院（13所）技術團隊又基於6英寸工藝線完成了第三代薄片工藝碳化矽SBD和第三代碳化矽MOSFET產品開發，產品指標均可對標國際一線品牌。

近年來，電動汽車市場快速增長，其中高壓碳化MOSFET作為電動汽車主逆變器和車載充電器的核心元器件，市場需求量巨大。尤其是用於主逆變器的1200V/100A高壓、大電流碳化矽MOSFET晶片，代表了當前碳化矽電力電子晶片技術的最高水平，全球範圍內具備批次供貨能力的廠家屈指可數。

產業基礎研究院（13所）經過多年的技術積累和艱苦攻關，突破多項關鍵技術，完成了車規級1200V/100A碳化矽MOSFET晶片產品批次生產，實現了多款產品的系列化，產品品質得到了國內多家車企的認可。

2022年，產業基礎研究院（13所）大力推進碳化矽在電力電子領域運用發展，全面開啟“碳化矽年”，並深入佈局，圍繞“技術突破”和“市場拓展”兩個重點，以現有的6英寸碳化矽工藝線為硬體基礎，同時佈局產業化公司發展。上半年，產業基礎研究院（13所）當選河北省半導體產業聯盟理事長單位、河北省第三代半導體產業創新聯合體理事長單位，將牽頭打造河北省SiC產業鏈。

【責任編輯：溫存】