據媒體報道，受上游晶圓供應緊缺情況的持續影響，近日，國內外多家金氧半導體場效電晶體（MOSFET）廠商釋出漲價通知，目前已累計四家MOS廠商已經啟動漲價，漲幅達到20%。

近期，臺積電、聯電、世界先進三大代工廠將8英寸晶圓線代工價格調高，下游市場出現缺貨情況，8英寸晶圓進入持續緊缺狀態，而8寸晶圓產能瓶頸導致MOS代工產能趨緊，帶動下游漲價。

Diodes（美臺）在給客戶的提價通知中表示，將於2021年1月1日起對調漲部分產品價格。值得注意的是，FUTURE釋出的最新市場行情報告顯示，Diodes的低壓MOSFET交期拉長，延長至17-22周。

此外，新潔能21日釋出了價格調整通知函，原有價格難以滿足供貨需求，自2021年1月1日起，產品價格將根據具體產品型號做不同程度的調整。

12月9日，杭州士蘭微電子表示，從即日起SGT MOS產品的價格本月提漲20%。12月16日，富滿電子再次釋出漲價通知。

截至目前已累計四家MOS管廠商已經啟動漲價。業內預計MOSFET缺貨情況將延續到明年，價格將逐季調漲。

功率半導體行業是一個需求驅動型的行業，功率半導體器件主要包括功率二極體、功率三極體、閘流體、MOSFET、IGBT等。在各類半導體功率器件中，增長最強勁的產品是MOSFET與IGBT模組。

MOSFET在功率器件中佔比最高，MOSFET市場在2017年之後逐年上漲，2018年達到75。8億美元，2019年進一步上升至81億美元。2014-2019年，年複合增速約8。6%；IGBT為33。1億美元。

功率器件率先起源於歐美，日韓後續不斷形成其自身競爭優勢。美國、歐洲、日本等國際一流半導體制造企業佔有功率器件當前主要市場份額。

全球功率器件市場競爭格局穩定，英飛凌連續三年佔據主導地位，市佔率達到24。6%，其全球功率器件和MOSFET市場份額都排名第一；安森美連續三年排名第二，市場份額穩定於9%左右，意法半導體、三菱和東芝連續三年進入前五。聞泰收購的安世半導體及中國本土成長起來的華潤微進入前十，分別佔比4。1%和3。0%。

在IGBT領域英飛凌也排名第一，市佔率高達35。6%，前五大公司合計佔比達到68。8%。中國本土成長起來的IGBT龍頭公司斯達半導體近幾年發展較快，進入前十，2019年排名第八，市佔率2。5%。

中國是全球最主要的功率器件消費國，功率器件細分的主要產品在中國的市場份額均處於第一位。其中，中國MOSFET市場規模佔比全球為44。3%，目前國內以低端MOSFET產品為主，在中高階MOSFET器件中，90%依賴進口。雖然國際大廠目前佔據主要市場，但其高階產品價格高昂，無法滿足國內迅速爆發的市場需求，國產替代空間十分廣闊。

圖表來源：ON Semi financial analyst day

全球IGBT市場規模及增長率：

圖表來源：ON Semi financial analyst day

從行業增長驅動來看，光伏、風力發電，逆變器與升壓裝置等對於功率器件需求來來提升，汽車電動化也帶來功率器件單車價值量的大幅度提升，而自動化、儲能等新興產業也有望帶動功率器件的需求快速增長。

根據去年華為釋出的《5G電源白皮書》顯示，目前5G基站相比4G基站功耗提升了3倍以上。因此需要5G基站能夠達到最高的電源效率，這也進而對基站中整流、逆變、變壓等電能變換和控制過程中的MOSFET需求提升。

國家能源局在《電動汽車充電基礎設施建設規劃》草案中提出，到2020年國內充換電站數量將達到1。2萬個，充電樁達到450萬個，隨著充電樁加速建設，對MOSFET晶片和IGBT晶片的需求也將進一步提升；而自動化、儲能等新興產業也有望帶動功率器件的需求快速增長。

近年來在國家產業政策的鼓勵和行業技術水平不斷提升等多重利好因素推動下，行業內部分企業對國際先進技術的持續引進以及自主創新獲快速發展。

未來隨著國內企業逐步突破行業高階產品的技術瓶頸，我國功率器件對進口的依賴將會進一步減弱，進口替代效應將顯著增強。

根據IHSMarkit資料，2021年中國功率半導體市場規模將達到159億美元，年化增速達到4。8%，略高於全球增速。在產業政策不斷加持下，功率半導體行業有望迎來廣闊的發展空間。