不得不說，過去的一年，美國的晶片禁令，已然成功狙擊了華為晶片的崛起。受此影響，華為的手機銷量、市場份額都在不斷縮減，目前已跌落出前五，即使華為做出壯士斷腕，分割榮耀等舉措，依然改變不了因缺少晶片而帶來的窘迫局面。

國內無法生產高階商用晶片已是不爭的事實，即使我們有出色的晶片設計廠商、優秀的晶片封裝生產能力，但缺少關鍵的晶片製造環節，一切努力都顯的很是蒼白無力，而導致無法生產高階晶片的核心原因就是沒有高階光刻裝置——光刻機。

我們知道，當今世界最先進的EUV光刻機生產商當屬荷蘭ASML，而且只此一家，是絕對的壟斷。可惜的是，縱然如今倡導全球化貿易，但受限於早期的《瓦森納協定》，高階光刻機對我國來說一直是被禁售的物件，國內很多廠商對其也是求而不得，比如中芯國際等。

國外的技術封鎖，讓我們只能走科技自研的道路。好在美國的晶片禁令，雖然有效狙擊了華為的市場崛起，但也讓光刻機這一核心概念從此走進大眾視野。越來越多的國人意識到光刻機的重要性，國家也開始大力扶持國產光刻機事業的發展，大批企事業單位、研究機構紛紛投入到光刻機研發事業當中。

努力是會有收穫的，前段時間就有訊息傳出，國內上海微電子裝備已成功研發出28nm的光刻機，而且即將出廠銷售。受此影響，ASML立馬開始降價銷售28nm光刻機，以企圖

搶佔

中國市場。不管訊息是否屬實，起碼看到了國內企業攻克光刻機難題的希望。

而近日，又一則訊息證實了國產光刻技術的再次突破。

據

中科院網站6月10日最新訊息

稱，上海光機所提出了一種基於虛擬邊、雙取樣率畫素化掩模圖形的快速光學鄰近效應修正技術（

OPC），模擬結果表明該計算光刻技術具有較高的修正效率。

OPC技術透過調整掩模圖形的透過率分佈修正光學鄰近效應，從而提高成像質量。基於模型的OPC技術是實現90nm及以下技術節點積體電路製造的關鍵計算光刻技術之一。

在光刻機軟硬體不變的情況下，採用數學模型和軟體演算法對照明模式、掩模圖形與工藝引數等進行最佳化，可有效提高光刻解析度、增大工藝視窗，此類技術即計算光刻技術。該技術被認為是推動積體電路晶片按照摩爾定律繼續發展的新動力。

在當前光刻機技術水平已逼近工程極限的情況下，計算光刻已經成為晶片製造不可或缺的關鍵技術。而上海光機所光刻技術的再次突破，或有可能助推國產光刻機向更高階製程的研發邁進。