目前中國大陸晶片工藝最先進的是中芯，早就實現了14nm工藝。

不過大家也都清楚，因為中芯的進步，讓美國感到了忌憚，所以將中芯拉入了黑名單，對先進工藝的裝置進行了限制，想要

鎖死我們16/14nm以下先進邏輯製程，一直停留在14nm。

但是，大家要清楚，這個所謂的14nm工藝，其實也是在進口各種裝置的情況下實現的，如果採用全國產裝置，14nm目前是不可能實現的。

按照某些專業人士的說法，目前全球沒有一個國家，可以實現晶圓廠的全產業鏈，也沒有一家晶圓廠，可以不需要美國的技術。

如果有這麼一個國家的晶圓廠，可以實現全產業鏈，可以不需要美國的技術，那麼它一定是中國，但也不是現在，而是將來。

就拿14nm工藝來說，目前我們同樣大量依賴從美國進口裝置，材料、軟體等，離實現自主可控，業內人士預測，至少還需要3-5年時間。

晶片生產過程中涉及到幾十種裝置，上百道工序。我們只撿重點的說。從三個環節來說一下，這三個環節分別是單晶矽片製造、前道工序、後道工序。

第一個環節，就是將砂子變成矽晶圓的過程，目前國內能製造300mm的晶圓，可以用於14nm，這裡面其實也用到了美國進口裝置，但我們先不管，就當可以完全獨立自主好了。

重點是前道工序，這裡就是將矽晶圓，變成加工後的裸晶片的過程，

這裡至少有擴散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化、測試，這8個重點步驟。

這裡的裝置就牽涉眾多了，最難的是光刻機，國產僅90nm，還有

離子注入、測試等環節的裝置，國產在28nm，還有徐膠顯影機等，還在60nm。

此外，這裡還涉及到眾多的材料，

特氣、光掩膜、光刻膠、光刻膠輔助材料、溼化學品、靶材、拋光液等，這裡面光刻膠，國產僅能達到45nm，還有一些靶材是空白，需要進口。

而在

後道工序，主要也就是封測，國內有三大廠商，排名全球前10名，分別是江蘇長電、天水華天、通富微電，這三大廠商的封測技術達到了4nm，但用到的裝置，很多也是進口的。

此外，還有製造晶片用到的EDA軟體，控制晶圓廠自動化的軟體，大多也是使用美國的，國產在先進工藝上，很多覆蓋不到，甚至連全流程都覆蓋不到，比如EDA只能覆蓋全流程的70%左右，工藝大多在28nm、45nm、60nm這樣的環節。

所以要搞定14nm工藝的全國產，按照業內人士的估計，至少要3-5年，甚至有可能3-5年都不夠，還取決於國內廠商們的研發進度。

所以在當前，國內的晶片產業對美國的依賴還相當大，當真正實現了全自主的14nm時，才能稍硬氣一點，現在還是低調一點吧，你覺得呢？

釋出於：湖南