華為再次帶來驚喜，近日，華為一個名為“反射鏡、光刻裝置及其控制方法”的新專利曝光。

我們都知道，華為擁有優秀的晶片設計能力，麒麟9000問世的時候，整體水平處於行業領先地位。但是後來在晶片製造方面被美國封鎖和限制，臺積電無法給華為代工晶片，也嚴重了影響了華為手機的發展。

為了解決這一難題，自給自足就變成了一個很好的選擇，像比亞迪目前就是這種情況，汽車核心的晶片自己設計、自己生產，從而避免了被卡脖子的情況。

所以，華為最近一兩年也一直在曝光各種與晶片製造有關的專利技術，而這次的新專利可以說直接涉及了光刻機領域，並且是核心的光刻裝置。

透過專利介紹我們可以看到，它是一種反射鏡、光刻裝置及其控制方法，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。

光刻機半導體產業的核心裝置，也是技術含量最高的裝置，包含上萬個零部件，集合了數學、光學、流體力學、高分子物理與化學、表面物理與化學、精密儀器、機械、自動化、軟體、影象識別領域等多項頂尖技術，所以光刻機被譽為半導體工業皇冠上的明珠。

而對於光刻機來說，很明顯光是最核心的。

那麼光刻機主要包括照明系統、Stage系統、鏡頭組、搬送系統、Alignment系統等，其效能指標主要包括：基片尺寸範圍、解析度、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性等等。

其中照明系統，主要包括光源和產生均勻光的光路。

以當下最先的EUV光刻機的光源為例，它由光的產生、光的收集、光譜的純化與均勻化三大單元組成。鐳射器會產生光，但是光刻過程不僅需要純的光，還需要均勻的光。

ASML使用了一種玻璃長方體，光在裡面經過多次反射，最後出來的光就被均勻化了。有了均勻的光以後，才可以用來曝光。

EUV光刻機使用強相干光源進行光刻時，相干光經照明系統分割成的多個子光束具有固定的相位關係，當這些子光束投射在掩膜版上疊加時會形成固定的干涉圖樣，出現有明暗變化、光強不均勻的問題，因此，必須先進行去相干處理，達到勻光效果，才能保證光刻工藝的正常進行。

而麼華為的這項專利技術，就是為了獲得均勻的光。

該光刻裝置透過不斷改變相干光形成的干涉圖樣，使得照明視場在曝光時間內的累積光強均勻化，從而達到勻光的目的，進而也就解決了相關技術中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。

迫於無奈，華為在半導體領域投入了很大的研發力量，也不斷公開了各種專利技術，包括光子晶片、量子晶片、疊加晶片等等，這些都已經說明，華為早已經放棄了對非國產半導體產業鏈的幻想。

近幾年來，國產半導體行業取得了很快的發展，但是光刻機方面，還遲遲沒有確定的訊息，例如之前傳聞中的國產28nm光刻機，直到今天，仍然沒有明確的訊息，大家都很擔心。

不過有了華為的介入，在其強大的研發實力、人才實力和資金實力的基礎下，國產半導體的發展一定能夠提速，例如在EDA軟體、半導體原材料等領域，華為哈勃投做了相應的佈局，而在光刻機核心元件光源領域，華為也入股了科益虹源，它可是國內第一、全球第三的193nm ArF準分子鐳射器製造商。

而此次的新專利，也是跟光有關，想必一定可以進一步強力推動國產光源系統的發展。

當然，光刻機的製造絕非易事，但在各個關鍵領域，都已經有中國公司取得突破，光源、鏡頭、工作臺、光刻膠、光掩模等等，只不過因為我們起步晚，技術水平還沒有達到最頂級，但如果此時能有一家實力強勁的企業出面，整合這些國產半導體企業，然後透過最佳化組合，並結合自身的需求和資源優勢，一起尋求發展。畢竟，光刻機是一個跨學科、跨領域的高精尖裝置，而這樣的發展模式必然要比單打獨鬥要好很多，而華為就是最好的選擇。

最後，也讓我們一起祝福華為，能夠早日打破西方封鎖，可以發展得越來越好。