作為紅外探測系統的核心組成部分，以大型化、小型化、多色化、高速探測和三維成像為主要特徵的第三代碲鎘汞紅外焦平面

探測器

已經成為紅外光電探測技術發展的主要方向。其中，紅外雪崩二極體（APD）陣列作為近十多年來發展起來的一種新型探測器，以其高增益、高靈敏度和高速探測等優點，成為未來弱訊號探測、三維主動/被動探測等方面的重要應用器件。今天小編主要和大家探討一下雪崩光電二極體在碲鎘汞探測器中的應用。

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矽片APD技術在可見光波段已基本取代傳統的光電增壓器（PMT）技術，在紅外波段探測效率較低。在紅外短波波段，InGaAs/InP型雪崩二極體的光譜相對於吸收層材料為InGaAs，倍增層材料為InP，具有一定的優越性。

HgCdTe型雪崩光子探測器（APD）是一種極具應用前景的雪崩光子探測器。CdZnTe是Hg1-xCdxTe與CdTe混合而成的三元化合物，其晶格常數隨組分變化不大，可與CdZnTe基底實現完美晶格匹配。由於Hg1-xCdxTe是直接帶隙半導體材料，紅外光的吸收係數和量子效率都較高；透過改變材料成分，可以改變器件的光譜，響應波段可以完全覆蓋整個紅外光譜範圍。

此外，碲鎘汞材料的空穴電子離化率和工作溫度範圍較大，因此，碲鎘汞材料具有較寬的增益頻寬積和較高的信噪比，使其在紅外雪崩光子探測領域具有廣闊的應用前景。