【嘉勤點評】群創的面板專利，透過使具有低還原能力氣體的等離子體處理透明導電層，然後在透明導電層上形成絕緣層的過程，解決了金屬氧化物中金屬經常被還原的問題，提升了面板的穿透度。

集微網訊息，面板市場上半年價量具揚，群創面板爆單，本季與第二季獲利都可逾百億元。群創指出，面板報價將因上游材料緊缺，及各型別產品相互排擠影響，可望延續漲勢。

現在，多數電子裝置具有一個或以上面板。至少一個透明導電層被使用在這些面板中，其通常包括透明導電氧化物，例如金屬氧化物。然而，在金屬氧化物中的金屬經常被還原，會導致面板的穿透度下降。

為此，群創於2019年10月29日申請了一項名為“面板及其製造方法”的發明專利（申請號：201911041367。7），申請人為群創光電股份有限公司。

圖1 面板形成過程剖面圖

圖1為本發明提出的面板形成過程的剖面圖。其中基板11可以是石英基板、晶圓、膜以及藍寶石基板等，而其材料包括聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚丙烯、其他塑膠或聚合物材料等。

柵極12形成於基板11上。柵極12的材料包括金屬、其合金、金屬氧化物、金屬氮氧化物、或其他電極材料，柵極12具有單層結構或多層結構。在本發明中，柵極12具有雙層結構，其中底層為鉬層，而頂層為氮化鉬層。柵極12的厚度T1為0。2至1的範圍內。特定層的厚度是指沿基板的法線方向在相對平坦的區域中測量的最大厚度。

第二絕緣層13也形成於基板11上。其材料包括氧化矽、氮氧化矽、氮化矽、氧化鋁、樹脂、聚合物、光阻或其組合。在本發明中，第二絕緣層13的材料為氮化矽，厚度T2為0。3至1的範圍內。

在第二絕緣層13形成之後，半導體層15形成於第二絕緣層13上。其材料包括非晶矽、多晶矽、或金屬氧化物，具有單層結構或多層結構。當半導體層15具有單層結構時，為非晶矽層或摻雜非晶矽層。而半導體層15具有雙層結構時，底層151為非晶矽層，頂層152為摻雜非晶矽層。其中底層151的厚度T3為0。1至0。3的範圍內，而頂層152的厚度T4為0。02至0。05的範圍內。

第一電極141及第二電極142形成於半導體層15上，並與其電性連線，可製得電晶體TFT，其包括：柵極12、對應柵極12設定的半導體層15、及與半導體層15電性連線的第一電極141和第二電極142。第一電極為源極，第二電極為漏極。第一電極141及第二電極142的材料包括金屬、其合金、金屬氧化物、金屬氮氧化物、其他電極材料、或其組合。另外，第一電極141及第二電極142具有單層結構或多層結構，厚度T5為0。2至1的範圍內。

簡而言之，群創的面板專利，透過使具有低還原能力氣體的等離子體處理透明導電層，然後在透明導電層上形成絕緣層的過程，解決了金屬氧化物中金屬經常被還原的問題，提升了面板的穿透度。

群創光電是TFT-LCD面板專業製造公司，擁有專業的平面顯示器研發技術團隊，一直以成為世界頂尖平面顯示系統供貨商為經營目標與定位。展望未來，群創光電將繼續深耕液晶顯示屏領域，致力發展平面顯示核心技術。

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（校對/holly）

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